中国芯困境:设备落后于制造 制造远落后于设计(组图)

对于国内而言,芯片产业应该是当下最为核心的产业了。而中国芯崛起,也是无数网友共同的愿望,与关注的话题。

当然,综合全球的芯片产业来看,中国芯不管是在技术,还是在设备、材料等方面,都没什么优势,这些都阻碍了中国芯的发展。

但事实上,我们仔细去分析下中国芯的具体情况,我们会发现,真正的困境其实体现在两个方面:一是半导体设备落后于制造、二是制造落后于设计。

先说说半导体设备落后于制造方面。我们知道目前国内已掌握的最先进的制造技术是14nm,中芯国际2019年就实现了。

甚至按照梁孟松的说法,目前N+1、N+2、7nm等工艺,前期都准备完成,在等EUV光刻机到位后进行验证。

说明制造技术一定程度上已经跨过了14nm,但因为包括光刻机在内的设备,达不到所以停下来了。

再说说制造落后于设计。华为在2020年就设计出了5nm的芯片麒麟9000,但是由台积电制造的,很明显,国内的制造水平是跟不上设计水平的。

而近日有媒体报道称,华为的3nm芯片也会在年内设计完成,但由于找不到代工厂,所以暂时不会生产出来,但设计会持续进行。

很明显,国内制造水平是跟不上设计水平的,之前中国工程院院士吴汉明就表达了一个观点,称“如果中国芯片制造业不加速发展,未来中国芯片产能与需求的差距,将拉大到至少相当于8个中芯国际的产能。”

如上图所示,这就是中国本土设计公司的需求,与本土晶圆产能需求之间的缺口图预测,在2020年相差2个中芯国际的产能,预测到2025年,可能相差8个中芯国际,且缺口在持续扩大。

如果不加以干预,只按照上图这个发展趋势下去,未来我们对于国外的代工企业依赖将就越来越大。

所以中国芯要崛起,提高自给率,就必须增加本土芯片企业的产能,让产能缺口越来越小,而增加产能,就必须努力发展半导体设备等,一环扣一环。

推荐阅读